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2SC6096	文件：321.61 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor 100V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation • Halogen free compliance Applicaitons • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：321.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6096	文件：41.4 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：41.4 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6096	文件：280.26 Kbytes Page：3 Pages	NPN Bipolar Transistor DESCRIPTION · Adoption of FBET, MBIT process · High-speed switching · Large current capacity APPLICATIONS · DC / DC converter · Relay drivers · Lamp drivers 文件：280.26 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6096	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor, 100V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single PCP 2SC6096 is Bipolar Transistor, 100V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single PCP for High-Voltage Switching Applications. • Adoption of FBET, MBIT process\n• Large current capacity\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• High-speed switching\n• High allowable power dissipation\n• Halogen free compliance;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6096-TD-E	文件：321.61 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor 100V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation • Halogen free compliance Applicaitons • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：321.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6096-TD-H	文件：321.61 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor 100V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation • Halogen free compliance Applicaitons • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：321.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6096-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6096-TD-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.15
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6.5
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
300
hFE Max：
600
fT Min (MHz)：
300
PTM Max (W)：
1.3
Package Type：
SOT-89/PCP-1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC6096	SANYO/三洋	20+	SOT-89	43000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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更多2SC6096供应商更新时间2026-4-19 14:14:00

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