2SC5242芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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2SC5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	丝印：C5242；NPN TRIPLE DIFFUSED(FOR POWER AMPLIFIER APLLICATIONS) Power Amplifier Applications • High Collector breakdown voltage: VCEO= 230 V (min) • Complementary to 2SA1962 • Suitable fro use in 80-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：150.92 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5242OTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C5242O；Package：TO-3P；NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：475.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5242RTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C5242R；Package：TO-3P；NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：475.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
C5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED(FOR POWER AMPLIFIER APLLICATIONS) Power Amplifier Applications • High Collector breakdown voltage: VCEO= 230 V (min) • Complementary to 2SA1962 • Suitable fro use in 80-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：150.92 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
C5242	文件：122.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications 文件：122.03 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

更多C5242供应商更新时间2025-9-21 13:40:00