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2SC5242	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC= 15A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1962/FJA42 文件：461.89 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2SC5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	丝印：C5242；NPN TRIPLE DIFFUSED(FOR POWER AMPLIFIER APLLICATIONS) Power Amplifier Applications • High Collector breakdown voltage: VCEO= 230 V (min) • Complementary to 2SA1962 • Suitable fro use in 80-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：150.92 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：253.07 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector Breakdown Voltage-: V(BR)CEO = 230V(Min.) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SA1962 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications 文件：253.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5242	文件：174.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION · With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SA1962 ·High collector voltage: VCEO=230V(Min) APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：174.87 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5242	文件：176.54 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：176.54 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5242	文件：129.139 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：129.139 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC5242	文件：122.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications 文件：122.03 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：475.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5242	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN外延硅晶体管 •高电流能力： IC = 15A\n•高功耗： 130W\n•高频率： 30MHz\n•高电压： VCEO=250V\n•宽S.O.A可实现可靠操作\n•极佳的增益线性度可实现低THD\n•2SA1962/FJA4213的补充器件\n•提供热Spice模型和电气Spice模型;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Polarity：
NPN
VCEO(Max)(V)：
230
IC(Max)(A)：
15
hFE(Min)：
55
hFE(Max)：
160
VCE(sat)(Max)(V)：
3.0
fT(Typ.)(MHz)：
30
ComplementaryProduct：
2SA1962
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name：
TO-3P(N)
Width×Length×Height(mm)：
15.5 x 20.0 x 4.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	2SC5242	TOSHIBA东芝原装	17+18+ROHSnew	TO3P封	72054	2SA1962/2SC5242音响对管QQ350053121	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC5242		24+	TO-3PF	10000	全新	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SC5242	TOSHIBA	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SC5242	TOS	24+	原厂封装	5500	原装现货假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2SC5242	TOSHIBA	25+23+	TO-3P	34093	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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