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2SC5227	文件：122.89 Kbytes Page：4 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amp Applications??? VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). • High gain : \| S21e \|2 = 12dB typ (f=1GHz). • High cutoff frequency : fT=7GHz typ. 文件：122.89 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5227	文件：266.84 Kbytes Page：5 Pages	High Gain Bandwidth Product DESCRIPTION • High Gain Bandwidth Product fT = 7 GHz TYP. • High Gain, Low Noise Figure \|S21e\|2 = 12 dB TYP., NF = 1.0 dB TYP @ f = 1 GHz APPLICATIONS • Designed for VHF~UHF wideband low noise amplifier applications. 文件：266.84 Kbytes 页数：5 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5227	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5227A	文件：69.13 Kbytes Page：6 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ 文件：69.13 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5227A	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : \|S21e\|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ 文件：346.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5227A	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA,fT=7GHz, NPN Single CP RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : \|S21e\|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ 文件：346.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5227A-4-TB-E	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA,fT=7GHz, NPN Single CP RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : \|S21e\|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ 文件：346.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5227A-4-TB-E	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : \|S21e\|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ 文件：346.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5227A-5-TB-E	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : \|S21e\|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ 文件：346.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5227A-5-TB-E	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA,fT=7GHz, NPN Single CP RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : \|S21e\|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ 文件：346.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC5227
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_甚高频（VHF）_超高频/特高频
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.07A
最大工作频率：
7GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFR193,BFR520,2SC3445,2SC5084,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
7000000000
atest：
0.07
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.07
VCEO(sus) Min (V)：
10
hFE Min：
90
hFE Max：
180
PTM Max (W)：
0.2
fT Min (MHz)：
7000
NF Typ. (dB)：
1
2 Typ. (dB)：
12
Package Type：
SC-59-3/CP-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC5227	ON/安森美	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC5227	NEC	24+		30000		询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SC5227	SANYO	24+	SOT-23	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2SC5227	Sanyo	25+23+	Sot-23	33554	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SC5227	SANYO/三洋	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市旺财半导体有限公司	2SC5227		23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC5227	NEC	2023+	SOT-23	50000	原装现货	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SC5227	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	国产	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SC5227	ON/安森美	22+	SOT-23	20000	只做原装	询价

更多2SC5227供应商更新时间2026-1-17 10:02:00

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