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2SC5100	文件：24.98 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose) Complementtotype2SA1908 Application:AudioandGeneralPurpose	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦
2SC5100	文件：194.04 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1908 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SC5100	文件：188.53 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1908 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SC5100	文件：165.1 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1908 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC5101	文件：25.26 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose) SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(Complementtotype2SA1909) Application:AudioandGeneralPurpose	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦
2SC5101	文件：194.3 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1909 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SC5101	文件：165.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1909 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC5101	文件：188.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1909 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SC5103	文件：65.79 Kbytes Page：2 Pages	High speed switching transistor (60V, 5A) Features 1)LowVCE(sat)(Typ.0.15VatIC/IB=3/0.15A) 2)Highspeedswitching(tf:Typ.0.1μsatIC=3A) 3)WideSOA.(safeoperatingarea) 4)Complementsthe2SA1952.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SC5103TLQ	文件：114.23 Kbytes Page：4 Pages	High speed switching transistor (60V, 5A) Features 1)LowVCE(sat)(Typ.0.15VatIC/IB=3/0.15A) 2)Highspeedswitching(tf:Typ.0.1μsatIC=3A) 3)WideSOA.(safeoperatingarea) 4)Complementsthe2SA1952.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SC5104	文件：62.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) SiliconNPNtriplediffusionplanartype Forhighbreakdownvoltagehigh-speedswitching ■Features •High-speedswitching •Highcollector-basevoltage(Emitteropen)VCBO •Widesafeoperationarea •SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE •Ntypepackageenablingdi	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SC5106	文件：236.14 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5106	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5107	文件：235.6 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5107	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5108	文件：236.06 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATIONS) ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5108	文件：342.33 Kbytes Page：6 Pages	For VCO Application ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5108FT	文件：73.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5108-Y	文件：342.33 Kbytes Page：6 Pages	For VCO Application ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5109	文件：246.99 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) FORVCOAPPLICAITONS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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晶体管资料

型号：
2SC5100
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD245D,BD245E,BD245F,2SC4386,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
β=50
图片代号：
B-98
vtest：
160
htest：
20000000
atest：
8
wtest：
75

产品属性

产品编号：
2SC5100
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
20MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3 整包
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS NPN 120V 8A TO3P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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