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2SC5181-T1	文件：50.86 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • Low current consumption and high gain \|S21e\|2= 10.5 dBTYP.@ VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2= 9.0 dBTYP.@VCE= 1 V, IC= 5 mA, f = 2 GHz • Ultra Super Mini-Mold package 文件：50.86 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5181-T1	文件：1.15205 Mbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION 文件：1.15205 Mbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5193-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT323	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5195-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT343	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5198	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3PN	MOT/仁懋上传：深圳广友电子有限公司	MOT/仁懋

更多2SC5181-T1供应商更新时间2026-1-30 16:30:00