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2SB1132	文件：124.03 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
2SB1132	文件：798.72 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1132	文件：462.54 Kbytes Page：2 Pages	-1A,-40VPNPSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1132	文件：506.45 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier FEATURES LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA). ComplementaryNPNtypeavailable 2SD1664. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifier andswitching.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB1132P	文件：463.31 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
2SB1132-P	文件：798.72 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1132-P	文件：193.17 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25) •Collectorcurrent:ICM=-1A •Collector-basevoltage:V(BR)CBO=-40V •Operatingandst	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1132-P	文件：542.22 Kbytes Page：4 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1132PT	文件：307.33 Kbytes Page：3 Pages	PNPMediumPowerTransistor SURFACEMOUNTPNPMediumPowerTransistor VOLTAGE32VoltsCURRENT1Ampere FEATURE Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) APPLICATION Telephonyandprof	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2SB1132Q	文件：463.31 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI

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更多2SB1132-Q-TP-HF供应商更新时间2025-5-22 16:52:00

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