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2SC3355	文件：102.15 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz 文件：102.15 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3355	文件：107.61 Kbytes Page：3 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER FEATURES * Low Noise and High Gain * High Power Gain 文件：107.61 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3355	文件：248.21 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low noise and high gain NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz NF 文件：248.21 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3355	文件：314.85 Kbytes Page：6 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz NF = 1.1 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1.0 GHz • High Power Gain MAG= 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz APPLICATIONS • Designe 文件：314.85 Kbytes 页数：6 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3355	文件：920.81 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. Features Low noise and high power gain. Applications low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. 文件：920.81 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC3355	文件：438.25 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ ABSTRACT The 2SC3355 is a silicon epitaxial transistor in NPN configuration. This high frequency, low noise amplifier boasts a high power gain. The transistor is encased in a compact three pin durable plastic TO-92 package. 文件：438.25 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2SC3355	文件：293.26 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：293.26 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3355	文件：82.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER 文件：82.99 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3355	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Tranasitor	UTC 友顺	UTC
2SC3355-T	文件：248.21 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low noise and high gain NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz NF 文件：248.21 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SC3355
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
6.5GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2671,2SC3512,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-21
vtest：
20
htest：
6500000000
atest：
0.1
wtest：
0.6

技术参数

BVCEO(V)：
12
BVCBO(V)：
20
IC(A)：
0.10
HFE_MIN.：
50
HFE_MAX.：
300
HFE test_IC(mA)：
20
HFE test_VCE(V)：
10.0
ft (GHz)_TYP：
7
ft (GHz)test_VCE：
10
ft (GHz)test_IC(mA)：
20
Package：
TO-92 SOT-89 SOT-323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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