首页 >2SB1132-Q-TP-HF>规格书列表
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MediumPowerTransistor(-32V,-1A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
MediumPowerTransistor Features ●LowVCE(sat) ●Complimentsto2SD1664 | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES •Lowpowerdissipation0.5W | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃ | TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司 | TEL | ||
MEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA) | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
PNPPlastic-EncapsulateTransistors PNPPlastic-EncapsulateTransistors P/bLead(Pb)-Free | WEITRON Weitron Technology | WEITRON | ||
MediumPowerTransistor MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
MediumPowerTransistor(−32V,−1A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat):-0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA •Compliments2SD1664 | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | ||
PNPSiliconMediumPowerTransistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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