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2SB1132	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1132	文件：348.95 Kbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors PNPPlastic-EncapsulateTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SB1132	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1132	文件：64.51 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB1132	文件：162.61 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES •Lowpowerdissipation0.5W	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SB1132	文件：352.68 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor Features ●LowVCE(sat) ●Complimentsto2SD1664	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1132	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	MediumPowerTransistor(-32V,-1A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1132	文件：177.46 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SB1132	文件：350.94 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat):-0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA •Compliments2SD1664	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB1132	文件：79.9 Kbytes Page：5 Pages	MediumPowerTransistor(−32V,−1A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1132	文件：1.60068 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB1132	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	MediumPowerTransistor(-32V,??1A) MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1132	文件：1.77668 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB1132	文件：556.07 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONEPITAXIALMEDIUMPOWERTRANSISTOR	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1132	文件：202.23 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1132	文件：173.84 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1132	文件：75.61 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SB1132	文件：546.48 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat) •Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
2SB1132	文件：193.82 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SB1132	文件：1.549 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89Transistor(PNP)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB1132-Q-TP-HF	MCC/美微科	2021+	SOT-89	121212	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市惊羽科技有限公司	2SB1132-Q-TP-HF	MCC-美微科	24+25+/26+27+	SOT-89-3	57500	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市维尔达电子有限公司	2SB1132QU	S.T	2023+	SOT-89	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	2SB1132QU	ST	23+	SOT-89	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
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更多2SB1132-Q-TP-HF供应商更新时间2024-5-21 11:09:00

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