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2SB1132	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	MediumPowerTransistor(-32V,-1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1132	文件：352.68 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor Features ●LowVCE(sat) ●Complimentsto2SD1664	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1132	文件：162.61 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES •Lowpowerdissipation0.5W	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1132	文件：64.51 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB1132	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1132	文件：348.95 Kbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors PNPPlastic-EncapsulateTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1132	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1132	文件：79.9 Kbytes Page：5 Pages	MediumPowerTransistor(−32V,−1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1132	文件：350.94 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat):-0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA •Compliments2SD1664	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB1132	文件：177.46 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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