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2SA1939	文件：181.85 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3P(I)package •Complementtotype2SC5196 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor40Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1939	文件：75.98 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Min)@lc=-5A •GoodLinearityofMFE •ComplementtoType2SC5196 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor40Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstageapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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2SA1939	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1939	文件：191.22 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNTripleDiffusedType PowerAmplifierApplications •Complementaryto2SA1939 •Suitableforusein40-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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