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2SA194 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 NEC/瑞萨
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
2SA1943-O(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 800mA,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
5µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 1A,5V
- 频率 - 跃迁:
30MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3PL
- 供应商器件封装:
TO-3P(L)
- 描述:
TRANS PNP 230V 15A TO3P
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