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2SA1940	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1940	文件：110.48 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= -2.0V(Min) @IC= -6A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC5197 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications 文件：110.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1940	文件：207.72 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC5197 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：207.72 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1940	文件：148.54 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • Complementary to 2SC5197 • Recommended for 55-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：148.54 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1940	文件：76.26 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.0V(Min) @lc= -6A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SC5197 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications 文件：76.26 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1940	文件：173.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC5197 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 55W high fidelity audio requency amplifier output stage 文件：173.87 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1940	文件：122.01 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：122.01 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1940	文件：207.72 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：207.72 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1940	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Type Transistor	Toshiba 东芝	Toshiba
2SA1940	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2SA1940
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_HIFI_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD246C,BD546D,2SA1694,2SB688,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
120
htest：
30000000
atest：
8
wtest：
80

技术参数

VCBO/(V)：
-120
VCEO/(V)：
-120
IC/(A)：
-8
PC/(W)：
80
hFE(min）：
55
hFE（max）：
160
VCE（sat）(V)：
-2.0
VCE@IC/(A)：
-6
VCE@IB/(A)：
-0.6
Package：
TO-3PS

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