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2SA1943-O(Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3PL；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 230V 15A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1943-O-AB-N-B	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerAmplifierApplications FEATURES ●Highcollectorvoltage：VCEO=230V(min)VCEO=250V(min) ●Complementaryto2SC5200 ●Recommendedfor100Waudiofrequencyamplifieroutput ●RoHSproduct APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943-O-AL-N-B	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerAmplifierApplications FEATURES ●Highcollectorvoltage：VCEO=230V(min)VCEO=250V(min) ●Complementaryto2SC5200 ●Recommendedfor100Waudiofrequencyamplifieroutput ●RoHSproduct APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943-O-AL-N-D	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerAmplifierApplications FEATURES ●Highcollectorvoltage：VCEO=230V(min)VCEO=250V(min) ●Complementaryto2SC5200 ●Recommendedfor100Waudiofrequencyamplifieroutput ●RoHSproduct APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943-OQ	文件：229.6 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS PowerAmplifierApplications •Highcollectorvoltage:VCEO=−230V(min) •Complementaryto2SC5200 •Recommendedfor100-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1943OTU	文件：215.59 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Applications •High-FidelityAudioOutputAmplifier •GeneralPurposePowerAmplifier Features •HighCurrentCapability:IC=-15A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •Ex	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SA1943OTU	文件：247.8 Kbytes Page：7 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1943RTU	文件：247.8 Kbytes Page：7 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1943RTU	文件：215.59 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Applications •High-FidelityAudioOutputAmplifier •GeneralPurposePowerAmplifier Features •HighCurrentCapability:IC=-15A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •Ex	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
2SA1943-O(Q)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3PL
供应商器件封装：
TO-3P（L）
描述：
TRANS PNP 230V 15A TO3P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科翼源电子有限公司	2SA1943-O(Q)	tos	23+	TO-3P	3700	原厂原装正品	询价
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更多2SA1943-O(Q)供应商更新时间2025-6-23 10:09:00

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