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20H120G3AG	文件：362.55 Kbytes Page：14 Pages	型号：SCT020H120G3AG；Package：H2PAK-7；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H²PAK-7 package Features •AEC-Q101qualified •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •DC/DCconverterforEV/HEV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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20H120G3AG

文件：362.55 Kbytes

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型号：SCT020H120G3AG；Package：H2PAK-7；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H²PAK-7 package

Features •AEC-Q101qualified •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •DC/DCconverterforEV/HEV

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