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20M1H075	文件：1.86472 Mbytes Page：16 Pages	型号：IMYH200R075M1H；Package：PG-TO247-4-PLUS-NT14；CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET Features •VDSS=2000VatTvj=25°C •IDCC=34AatTc=25°C •RDS(on)=75mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Robustbodydiodeforhardcommutation •.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermalp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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20M1H075

文件：1.86472 Mbytes

Page：16 Pages

型号：IMYH200R075M1H；Package：PG-TO247-4-PLUS-NT14；CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

Features •VDSS=2000VatTvj=25°C •IDCC=34AatTc=25°C •RDS(on)=75mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Robustbodydiodeforhardcommutation •.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermalp

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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更多20M1H075供应商更新时间2025-7-29 11:01:00

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