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厂商型号

IMYH200R075M1H

功能描述

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

丝印标识

20M1H075

封装外壳

PG-TO247-4-PLUS-NT14

文件大小

1.86472 Mbytes

页面数量

16

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-17 17:38:00

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IMYH200R075M1H规格书详情

特性 Features

• VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C

• IDCC = 34 A at Tc = 25°C

• RDS(on) = 75 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

• Very low switching losses

• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

• Robust body diode for hard commutation

• .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
23+
原厂封装
9888
专做原装正品,假一罚百!
询价
Infineon(英飞凌)
23+
PG-TO247-4
19850
原装正品,假一赔十
询价
INFINEON/英飞凌
24+
MOS
5000
原厂支持公司优势现货
询价
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO247-4
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
ROHM
25+23+
Sot-153
31089
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
ROHM
24+
SOT23-6
5000
全新原装正品,现货销售
询价
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-4
6820
只做原装,质量保证
询价
ROHM
24+
SOT-163SOT-23-6
6204
新进库存/原装
询价
Infineon
23+
PG-TO247-4
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
询价
ROHM
96+
SOT23-6
3960
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价