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IMYH200R024M1H中文资料PDF规格书

IMYH200R024M1H
厂商型号

IMYH200R024M1H

功能描述

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

文件大小

1.85569 Mbytes

页面数量

16

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 10:20:00

IMYH200R024M1H规格书详情

Features

• VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C

• IDCC = 89 A at Tc = 25°C

• RDS(on) = 24 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

• Very low switching losses

• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

• Robust body diode for hard commutation

• .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

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