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厂商型号

IMYH200R024M1H

功能描述

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

丝印标识

20M1H024

封装外壳

PG-TO247-4-PLUS-NT14

文件大小

1.85569 Mbytes

页面数量

16

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-16 14:33:00

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IMYH200R024M1H规格书详情

特性 Features

• VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C

• IDCC = 89 A at Tc = 25°C

• RDS(on) = 24 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

• Very low switching losses

• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

• Robust body diode for hard commutation

• .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO247-4
9600
原装现货,欢迎询价
询价
ROHM
24+
SOT-163SOT-23-6
6204
新进库存/原装
询价
ROHM
1923+
SOT163
90000
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
询价
ROHM
24+
SOT23-6
5000
全新原装正品,现货销售
询价
Infineon Technologies
23+
PG-TO247-4
3652
原厂正品现货供应SIC全系列
询价
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO247-4
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO247-4
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
Infineon/英飞凌
2022+
PG-TO247-4
48000
只做原装,绝对原装,假一罚十
询价
ROHM
25+
SOT23-6
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
询价
INFINEON/英飞凌
24+
MOS
5000
原厂支持公司优势现货
询价