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厂商型号

IMYH200R050M1H

功能描述

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

丝印标识

20M1H050

封装外壳

PG-TO247-4-PLUS-NT14

文件大小

1.82775 Mbytes

页面数量

16

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 23:00:00

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IMYH200R050M1H规格书详情

特性 Features

• VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C

• IDCC = 48 A at Tc = 25°C

• RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

• Very low switching losses

• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

• Robust body diode for hard commutation

• .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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