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20N1200	文件：150.71 Kbytes Page：8 Pages	型号：RI20N1200TT；Package：TO-247；1200V/20A RC-IGBT GeneralDescription DOSEMIIGBTPowerDiscreteprovidesultra lowconductionlossaswellaslowswitchingloss. Theyaredesignedfortheapplicationssuchas inductivecooking. Features LowVCE(sat)TrenchIGBTtechnology Lowswitchingloss Maximumjunctiontemperature175oC Lowinduc	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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20N1200

文件：150.71 Kbytes

Page：8 Pages

型号：RI20N1200TT；Package：TO-247；1200V/20A RC-IGBT

GeneralDescription DOSEMIIGBTPowerDiscreteprovidesultra lowconductionlossaswellaslowswitchingloss. Theyaredesignedfortheapplicationssuchas inductivecooking. Features LowVCE(sat)TrenchIGBTtechnology Lowswitchingloss Maximumjunctiontemperature175oC Lowinduc

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多20N1200供应商更新时间2025-7-30 15:01:00

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