Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5.0 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Industrial RTU

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REDLION

OCTAL BUS TRANSCEIVER WITH 3-STATE OUTPUTS

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TI

德州仪器

Frequency Multiplying, Peak Reducing EMI Solution

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CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司