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VFT3080S-E3	文件：157.79 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3080S-E3	文件：203.56 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VFT3080S-E3/4W	文件：148.44 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3080S-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30A 80V ITO-220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VFT3080S-E3S/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 80V	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VBT3080S-E3	文件：157.79 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOSSchottkytechnology FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
VFT3080S-E3
功能描述：
肖特基二极管与整流器 30A,80V,Trench
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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