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VFT30L60C_V01	文件：129.22 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT30L60C_V01	文件：90.59 Kbytes Page：4 Pages	DualTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT30L60C_V01	文件：143.33 Kbytes Page：5 Pages	DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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深圳市河锋鑫科技有限公司	VFT30L60CE3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	ITO220AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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更多VFT30L60C_V01供应商更新时间2025-5-17 10:30:00

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