Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

文件：82.25 Kbytes 页数：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.30 V at IF = 5.0 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application

文件：130.85 Kbytes 页数：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

文件：130.85 Kbytes 页数：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

文件：82.25 Kbytes 页数：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：83.82 Kbytes 页数：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V ITO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division