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VFT3080C_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION

文件:128.35 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

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更多VFT3080C_V01供应商 更新时间2025-10-4 10:31:00