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VFT3060G	文件：127.98 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.98 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G	文件：79.42 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.42 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G	文件：148.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G	文件：148.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G_V01	文件：127.98 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.98 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G-E3	文件：202.15 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maxim 文件：202.15 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G-E3	文件：156.82 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：156.82 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G_15	文件：79.93 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.93 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G-E3/4W	文件：173.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.59 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT3060G-E3SLASH4W	文件：173.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.59 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
VFT3060G
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	VFT3060G	VISHAY/威世	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VFT3060G	-	23+	TO-220F	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	VFT3060G	VISHAY/威世	24+	NA/	4820	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市科雨电子有限公司	VFT3060G-E3/4W	VISHAY	25+	TO-220	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	VFT3060GM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	ITO220AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	VFT3060G-M3/4W	Vishay General Semiconductor -	25+	TO-220-3 全封装隔离接片	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	VFT3080C	VISHAY	18+	TO-220F	41200	原装正品,现货特价	询价
深圳市博中泰实业有限公司	VFT3080C	VISHAY/威世	24+	TO-220F	60000	全新原装现货	询价
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深圳市华斯顿科技有限公司	VFT3080S-E3/4W	VISHAY	25+23+	TO220F	37093	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价

更多VFT3060G供应商更新时间2025-10-6 11:00:00

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