Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.30 V at IF = 5.0 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

MINIATURE, IN-LINE, SMA CONNECTORS

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磁控国际

Celeron D Processor

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