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UPA812T-A

Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

CEL

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UPC812

DUAL J-FET INPUT LOW-OFFSET OPRERATIONAL AMPLIFIER

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

文件:401.72 Kbytes 页数:10 Pages

NEC

瑞萨

UPC812

High Stability, Low Offset Voltage J-FET Input Dual Operational Amplifier

FEATURES  Input Offset Voltage ±1 mV (TYP.) (±3 mV MAX.)  VIO Temperature Drift ±7 μV/C (TYP.)  Input Bias Current 50 pA (TYP.)  Slew Rate 15 V/μs (TYP.)  Unity Gain Frequency 4 MHz (TYP.)  Input Equivalent Noise Voltage Density 19 nV/ Hz (TYP.) (f = 1 kHz)  Stable operation against

文件:735.05 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

UPC812C

DUAL J-FET INPUT LOW-OFFSET OPRERATIONAL AMPLIFIER

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

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NEC

瑞萨

产品属性

  • 产品编号:

    UPA812T-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.4dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
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