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UPA813T-T1	文件：53.87 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITHBUILT-IN2×2SC4570)SMALLMINIMOLD µPA813Thasbuilt-in2transistorswhichweredevelopedforUHF. FEATURES •HighfT fT=5.5GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •SmallCollectorCapacitance Cob=0.7pFTYP.(@VCB=5V,IE=0,f	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA813T-T1	文件：272.06 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2´2SC4570)SMALLMINIMOLD FEATURES •HighfT fT=5.5GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •SmallCollectorCapacitance Cob=0.7pFTYP.(@VCB=5V,IE=0,f=1MHz) •ASurfaceMountingPackageAdopted •Built-in2Transisto	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA813T-T1

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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITHBUILT-IN2×2SC4570)SMALLMINIMOLD µPA813Thasbuilt-in2transistorswhichweredevelopedforUHF. FEATURES •HighfT fT=5.5GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •SmallCollectorCapacitance Cob=0.7pFTYP.(@VCB=5V,IE=0,f

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瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

UPA813T-T1

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SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2´2SC4570)SMALLMINIMOLD FEATURES •HighfT fT=5.5GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •SmallCollectorCapacitance Cob=0.7pFTYP.(@VCB=5V,IE=0,f=1MHz) •ASurfaceMountingPackageAdopted •Built-in2Transisto

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