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UPA2731UT1A-E1-AZ

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2731UT1AisP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ion batteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−22A) RDS(on)2=6.4mΩMAX.(VGS=−4.

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