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TIP112G-T60-K	文件：189.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR 文件：189.65 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP112G-T60-K	文件：189.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：189.65 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP112G-TA3-T	文件：189.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR 文件：189.65 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP112G-TA3-T	文件：189.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：189.65 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP112G-TN3-R	文件：189.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR 文件：189.65 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP112G-TN3-R	文件：189.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：189.65 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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产品属性

产品编号：
TIP112G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIP112G供应商更新时间2025-12-20 9:37:00

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