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TIP147T	文件：415.68 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS For use in Power Linear and Switching Applications 文件：415.68 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP147T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications. 10 AMPERE DARLINGTIOON COM:EMEMTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 - 100 VOLTS 80 WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T -->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T ---> PNP 文件：204.61 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP147T	文件：52.16 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000@ VCE = - 4V, IC = - 5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP140T/141T/142T 文件：52.16 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP147T	文件：536.03 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors - High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) - Collector-Emitter Sustaining Voltage - Low Collector-Emitter Saturation Voltage - Industrial Use - Complementary to TIP140/141/142 文件：536.03 Kbytes 页数：5 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
TIP147T	文件：337.6 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000@ VCE = - 4V, IC = - 5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP140T/141T/142T 文件：337.6 Kbytes 页数：4 Pages	SYC	SYC
TIP147T	文件：161.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS For use in Power Linear and Switching Applications 文件：161.2 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
TIP147T	文件：53.91 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ Monolithic Darlington configuration ■ 文件：53.91 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TIP147T	文件：947.6 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. 文件：947.6 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
TIP147T	文件：536.03 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors 文件：536.03 Kbytes 页数：5 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW
TIP147T	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：152 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
TIP147T
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT62B,BDT62C,BDW94C,BDX34C...E,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
10
wtest：
125

产品属性

产品编号：
TIP147T
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS PNP DARL 100V 10A TO220-3

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