| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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TIP147 | POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,125W)
| MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | |
TIP147 | 10 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS TIP140,TIP141,TIP142-->NPN TIP145,TIP146,TIP147--->PNP ...designedforgeneral–purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain—MinhFE=1000@IC=5A,VCE=4V •Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mA VCEO(sus)=60Vdc(Min)—TIP140, | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | |
TIP147 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithTIP140,TIP141andTIP142 ●125Wat25°CCaseTemperature ●10AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,5A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
TIP147 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP140,TIP141andTIP142aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinTO-218plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP145,TIP146andTI | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
TIP147 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithTIP140,TIP141andTIP142 ●125Wat25°CCaseTemperature ●10AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,5A | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
TIP147 | SILICON DARLINGTON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL(HIGH DC CURRENT GAIN) HIGHDCCURRENTGAIN •ComplementarytoTIP140/141/142 | WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司 | WINGS | |
TIP147 | Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140/141/142 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | |
TIP147 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− MinhFE=1000@IC =5.0A,VCE=4V •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mA | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
TIP147 | Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·ComplementtotypeTIP140/141/142 APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
TIP147 | Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·ComplementtotypeTIP140/141/142 APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDX64B,BDV64B,BDV66A,BDW84C,MJ2501,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-71
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
125
产品属性
- 产品编号：
TIP147
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
928 |
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ST |
23+ |
TO-247 |
56000 |
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ST |
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25700 |
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ST |
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TO-247 |
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ST |
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T0220-3 |
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ST |
23+ |
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96000 |
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STM |
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TO-247-3 |
6000 |
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