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TIP142T	文件：571.15 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
TIP142T	文件：53.91 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■MonolithicDarlingtonconfiguration ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
TIP142T	文件：161.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited
TIP142T	文件：111.12 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=5A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) •ComplementtoTypeTIP147T APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
TIP142T	文件：80.07 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
TIP142T	文件：69.96 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
TIP142T	文件：304.26 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features Monolithicconstructionwithbuiltinbase-emittershuntresistors,HighDCcurrentgaincomplementtoTIP147T. Applications Linearandswitchingindustrialequipment.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
TIP142T	文件：415.68 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL CDIL
TIP142T	文件：632.39 Kbytes Page：3 Pages	Darlington TRANSISTOR (NPN) Features Monolithicconstructionwithbuiltinbase-emittershuntresistors HighDCcurrentgaincomplementtoTIP147T. Applications Linearandswitchingindustrialequipment.	FS First Silicon Co., Ltd
TIP142T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP	MOSPEC MOSPEC
TIP142T	文件：52.75 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
TIP142T	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	Complementary power Darlington transistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
TIP142T	文件：574.33 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.
TIP142T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
TIP142T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 10A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
TIP142TNPN	文件：415.68 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL CDIL
TIP142T_09	文件：314.92 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
TIP142T_10	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	Complementary power Darlington transistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
TIP142TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
142	文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages	TemperatureSensorsLineGuide	HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions 霍尼韦尔霍尼韦尔国际

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晶体管资料

型号：
TIP142T
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT63B…C,BDW93C,BDX33C…E,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
10
wtest：
125

产品属性

产品编号：
TIP142T
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3

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更多TIP142T供应商更新时间2024-4-25 13:41:00

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