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TIP31CG

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深圳市诚利顺电子科技有限公司

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TIP31B

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MOTOTO220

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深圳市星源辉科技有限公司

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TIP31AG

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ON/安森美TO-220

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深圳市米数科技有限公司

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TIP31C

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ST(意法半导体)N/A

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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power完成您的设计

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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TIP31C

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ST/意法TO-220

10000

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只做原装

深圳市天地昆电子有限公司

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STTO-220

71

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深圳市顺芯诚电子有限公司

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ONTO-220

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220

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TIP31C

FSC原厂封装

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深圳市润联芯城科技有限公司

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ON/安森美TO-220

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ST/意法半导体TO-220-3

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深圳市斌能达电子科技有限公司

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TIP31CTU

ON/安森美TO-220

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全新原装深圳仓库现货有单必成

深圳市科恒伟业电子有限公司

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TIP31C

BOURNSSMD

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深圳市坤融电子科技有限公司

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TIP31CTU

ONSEMI/安森美TO-220

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原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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TIP31C

ST(意法)TO-220(TO-220-3)

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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TIP31C

ST(意法)TO-220(TO-220-3)

10548

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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TIP31C

ST/意法TO220

53200

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深圳市旺财半导体有限公司

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ST/意法TO220

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深圳市达恩科技有限公司

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TIP31CTU

ON原装优势现货

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原装优势现货

深圳市高捷芯城科技有限公司

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ON/安森美TO-220AB

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TIP31CG价格：￥0.5801品牌：ON

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TIP31功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

TIP31_11制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:Silicon NPN Power Transistors

TIP31A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/60V/3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

TIP31A_06制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Power transistors

TIP31A-BP功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 3A 40W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

TIP31AG功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 60V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

TIP31A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

TIP31ATU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Transistor 60V/3a RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

TIP31B功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

TIP31-B功能描述:两极晶体管 - BJT 3.0A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    TIP31

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1.2V @ 375mA，3A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 3A，4V

  • 频率 - 跃迁：

    3MHz

  • 工作温度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 40V 3A TO220

晶体管资料

  • 型号：

    TIP31

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    45V

  • 最大电流允许值：

    3A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    B-10

  • vtest：

    45

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    40

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