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TIP3055 | POWER TRANSISTORS(15A,60V,90W) 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS90WATTS ..designedforuseintgeneral-purposeamplifierandswitchingapplication NPN->TIP3055 PNP->TIP2955 | MOSPEC MOSPEC |  | |
TIP3055 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON TIP2955PNP TIP3055NPN 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS90WATTS ...designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. •DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@ | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  | |
TIP3055 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,90WATTS •DCCurrentGain−hFE=20-70@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4.0Adc •ExcellentSafeOperatingArea •ThesearePb−FreeDevices* | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
TIP3055 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR ●DesignedforComplementaryUsewiththeTIP2955Series ●90Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable Collector-basevoltage(IE=0)VCBO100V Collector-emittervoltage(IB=0)(seeNote1)VCER70V Emitter-basevoltageVEB | POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd |  | |
TIP3055 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS NPN-->TIP3055 PNP-->TIP2955 Description Thedevicesaremanufacturedinepitaxial-baseplanartechnologyandaresuitableforaudio,powerlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applications ■Gen | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | |
TIP3055 | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIER DCTODCCONVERTER HighCurrentCapability HighPowerDissipation ComplementarytoTIP2955 | WINGSWing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components |  | |
TIP3055 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeTIP2955 ·90Wat25°Ccasetemperature ·15Acontinuouscollectorcurrent APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. | SAVANTIC Savantic, Inc. |  | |
TIP3055 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-:hFE=20-70@IC=4A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeTIP2955 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
TIP3055 | Complementary Silicon High Power Ttransistors PNPTIP2955 NPNTIP3055 DESCRIPTION TheTIP3055isasiliconEpitaxial-BasePlanarNPNtransistormountendinTO-247plasticpackage.Itisintentedforpowerswitchingcircuits,seriesandshuntregulators,outputstagesandhi-fiamplifiers. ThecomplementaryPNPtypeistheTIP295 | TGS Tiger Electronic Co.,Ltd |  | |
TIP3055 | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-:hFE=20-70@IC=4A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeTIP2955 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | |
TIP3055 | Complementary Silicon Power Transistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,90WATTS •DCCurrentGain−hFE=20-70@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4.0Adc •ExcellentSafeOperatingArea •ThesearePb−FreeDevices* | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
TIP3055 | SILICON POWER TRANSISTORS PNPTIP2955 NPNTIP3055 TheTIP3055isaNPNepitaxial-basetransistorinTO3PNpackage.Itisintendedforpowerswitchingcircuits,seriesandshuntregulators,outputstageandhi-fiamplifiers.ThecomplementaryistheTIP2955ForPNPtypesVoltageandCurentareNegative.Complianceto | COMSET Comset Semiconductor |  | |
TIP3055 | Silicon NPN Power Transistors SiliconNPNPowerTransistors | KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明阳国际贸易广州市明阳国际贸易有限公司 |  | |
TIP3055 | isc Silicon NPN Power Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
TIP3055 | Complementary power transistors | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
TIP3055 | 包装：散装 封装/外壳：TO-218-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 100V 15A TO218 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
TIP3055 | 包装：散装 封装/外壳：TO-218-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 15A SOT93 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
TIP3055 | 包装：散装 封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 15A TO247-3 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL TO-3PFullyIsolatedPlasticPackageTransistorCDIL | CDIL CDIL |  | ||
Complementary Silicon Power Transistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,90WATTS •DCCurrentGain−hFE=20-70@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4.0Adc •ExcellentSafeOperatingArea •ThesearePb−FreeDevices* | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
15A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD246C,BD250C,3CK108D,
- 最大耗散功率：
90W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-71
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
90
产品属性
- 产品编号：
TIP3055
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
- 频率 - 跃迁：
2.5MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
SOT-93
- 描述：
TRANS NPN 60V 15A SOT93
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
15+ |
TO247 |
12500 |
原装进口现货,假一罚十 |
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ST |
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STM |
21+ |
TO-247-3 |
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原装正品 有挂有货 |
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STM |
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7200 |
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