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STV200N55F3	文件：491.83 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 55 V, 1.8 mΩ, 200 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET Description Thisn-channelenhancementmodePower MOSFETisthelatestrefinementofST’s STripFET™process.Theresultingtransistor showsextremelyhighpackingdensityforlowon resistance,ruggedavalanchecharacteristicsand lowgatecharge. Features ■Conductionlossesreduced ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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STV200N55F3

文件：491.83 Kbytes

Page：12 Pages

N-channel 55 V, 1.8 mΩ, 200 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET

Description Thisn-channelenhancementmodePower MOSFETisthelatestrefinementofST’s STripFET™process.Theresultingtransistor showsextremelyhighpackingdensityforlowon resistance,ruggedavalanchecharacteristicsand lowgatecharge. Features ■Conductionlossesreduced ■

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

详细参数

型号：
STV200N55F3
功能描述：
MOSFET N-channel 55 V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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