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STW30N65M5	文件：1.28182 Mbytes Page：22 Pages	丝印：30N65M5；Package：TO-247；N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, I짼PAK, TO-220, TO-247 Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched a 文件：1.28182 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW30N65M5	文件：437.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：437.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STW30N65M5	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道650 V、0.125 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装 These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-ba • Worldwide best RDS(on)*area \n• Higher VDSSrating \n• Excellent switching performance \n• Easy to drive \n• 100% avalanche tested \n• High dv/dt capability;	ST 意法半导体	ST
STB30N65M5	文件：1.28182 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, I짼PAK, TO-220, TO-247 Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched a 文件：1.28182 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB30N65M5	文件：314.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：314.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STF30N65M5	文件：1.28182 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, I짼PAK, TO-220, TO-247 Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched a 文件：1.28182 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
TO-247
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
650
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.139
Drain Current (Dc)_max(A)：
22
PTOT_max(W)：
140
Qg_typ(nC)：
64

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更多STW30N65M5供应商更新时间2025-10-11 14:10:00

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