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30N65M5	文件：1.28182 Mbytes Page：22 Pages	型号：STB30N65M5；Package：D2PAK；N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, I짼PAK, TO-220, TO-247 Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
30N65M5	文件：1.28182 Mbytes Page：22 Pages	型号：STF30N65M5；Package：TO-220FP；N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, I짼PAK, TO-220, TO-247 Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
30N65M5	文件：1.28182 Mbytes Page：22 Pages	型号：STI30N65M5；Package：I2PAK；N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, I짼PAK, TO-220, TO-247 Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
30N65M5	文件：1.28182 Mbytes Page：22 Pages	型号：STP30N65M5；Package：TO-220；N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, I짼PAK, TO-220, TO-247 Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
30N65M5	文件：1.28182 Mbytes Page：22 Pages	型号：STW30N65M5；Package：TO-247；N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D짼PAK, TO-220FP, I짼PAK, TO-220, TO-247 Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
30N65M5
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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