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STW28N60M2	文件：1.12074 Mbytes Page：21 Pages	Extremely low gate charge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficiency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW28N60M2	文件：1.11956 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 22 A MDmesh™ M2 Power MOSFETs in D²PAK, I²PAK, TO-220 and TO-247 Features Extremelylowgatecharge Excellentoutputcapacitance(COSS)profile 100%avalanchetested Zener-protected Applications Switchingapplications LCCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
28N60M2	文件：1.11956 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.135Ωtyp.,22AMDmesh™M2PowerMOSFETsinD²PAK,I²PAK,TO-220andTO-247 Features Extremelylowgatecharge Excellentoutputcapacitance(COSS)profile 100%avalanchetested Zener-protected Applications Switchingapplications LCCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB28N60M2	文件：1.11956 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.135Ωtyp.,22AMDmesh™M2PowerMOSFETsinD²PAK,I²PAK,TO-220andTO-247 Features Extremelylowgatecharge Excellentoutputcapacitance(COSS)profile 100%avalanchetested Zener-protected Applications Switchingapplications LCCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB28N60M2	文件：1.12074 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficiency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF28N60M2	文件：827.38 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.135typ.,22AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinTO-220FP,I2PAKFPpackages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI28N60M2	文件：827.38 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.135typ.,22AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinTO-220FP,I2PAKFPpackages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI28N60M2	文件：1.12074 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficiency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI28N60M2	文件：1.11956 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.135Ωtyp.,22AMDmesh™M2PowerMOSFETsinD²PAK,I²PAK,TO-220andTO-247 Features Extremelylowgatecharge Excellentoutputcapacitance(COSS)profile 100%avalanchetested Zener-protected Applications Switchingapplications LCCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL28N60M2	文件：824.76 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.140typ.,19AMDmeshTMM2PowerMOSFETinaPowerFLATTM8x8HVpackage Features Extremelylowgatecharge Excellentoutputcapacitance(COSS)profile 100avalanchetested Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingMDmesh™M2technology. Thankstoitsstriplayoutandanimprovedvertical structure,thedevi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW28N60M2
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
STW28N60M2 - Trays

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