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STW18N60M2	文件：1.21822 Mbytes Page：21 Pages	Low gate input resistance Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW18N60M2	文件：861.3 Kbytes Page：27 Pages	Marking：18N60M2；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.255 Ω typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK,I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Application •Switchingapplications •LLCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheMDmesh™M2	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
18N60M2	文件：513.5 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.255typ.,13AMDmeshM2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB18N60M2	文件：369.77 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·LLCconverters,resonantconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB18N60M2	文件：861.3 Kbytes Page：27 Pages	N-channel600V,0.255Ωtyp.,13AMDmeshM2PowerMOSFETsinD2PAK,I2PAK,TO-220andTO-247packages Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Application •Switchingapplications •LLCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheMDmesh™M2	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB18N60M2	文件：1.21822 Mbytes Page：21 Pages	Lowgateinputresistance Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF18N60M2	文件：1.07185 Mbytes Page：13 Pages	Lowgateinputresistance Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedeviceexhibitslowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingitsuitableforthemostdemandinghighefficiencycon	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF18N60M2	文件：188.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchingapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STFH18N60M2	文件：692.95 Kbytes Page：12 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFU18N60M2	文件：513.5 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.255typ.,13AMDmeshM2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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中天科工半导体（深圳）有限公司	STW18N60M2	STMicroelectronics	24+	TO-247-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	STW18N60M2	ST/意法半导体	22+	TO-247-3	6005	原装正品现货可开增值税发票	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	STW18N60M2	ST(意法半导体)	24+	TO-247	8216	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	STW18N60M2	ST	23+/24+	TO-247	9865	原装MOS管(场效应管).	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	STW18N60M2	KEC	23+	TO-220F	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
艾睿国际（香港）有限公司	STW18N60M2	ST(意法半导体)	2447	TO-247-3	315000	600个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市科雨电子有限公司	STW18N60M2	STM	1809+	TO-247	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	STW18N60M2	ST(意法半导体)	2021+	TO-247-3	499		询价
深圳市正纳电子有限公司	STW18N60M2	ST(意法)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市易讯博科技有限公司	STW18N60M2		22+	NA	549	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价

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