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STW28NM50N	文件：966.35 Kbytes Page：21 Pages	N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitab 文件：966.35 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW28NM50N	文件：397.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：397.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STW28NM50N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道500 V、0.135 Ohm典型值、21 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，TO-247封装 These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most • 100% avalanche tested \n• Low input capacitance and gate charge \n• Low gate input resistance;	ST 意法半导体	ST
STB28NM50N	文件：966.35 Kbytes Page：21 Pages	N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitab 文件：966.35 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB28NM50N	文件：313.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：313.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STF28NM50N	文件：966.35 Kbytes Page：21 Pages	N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitab 文件：966.35 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
TO-247
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
500
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.158
Drain Current (Dc)_max(A)：
21
PTOT_max(W)：
150
Qg_typ(nC)：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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