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STB28NM50N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Applications
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STB28NM50N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-263 |
12000 |
原装优质现货订货渠道商 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
13848 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO252 |
19946 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | |||
ST(意法) |
25+ |
5000 |
只做原装 假一罚百 可开票 可售样 |
询价 | |||
ST |
22+ |
TO-263 |
33642 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
2019+ |
TO-263 |
1990 |
原盒原包装 可BOM配套 |
询价 |
