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STV200N55F3规格书详情
Description
This n-channel enhancement mode Power
MOSFET is the latest refinement of ST’s
STripFET™ process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on
resistance, rugged avalanche characteristics and
low gate charge.
Features
■ Conduction losses reduced
■ Low profile, very low parasitic inductance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STV200N55F3
- 功能描述：
MOSFET N-channel 55 V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
97/99 |
DIP56 |
116 |
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询价 | ||
ST |
10+ |
DIP-56 |
7800 |
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ST |
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DIP56 |
36500 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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ST |
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QFP |
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STMicroelectronics |
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ICDGTLCONVERGENCEPROC80- |
6800 |
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ST |
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QFP80 |
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ST |
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QFP80 |
21 |
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STMicroelectronics |
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STMicroelectronics |
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