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STU16N65M5	文件：1.10552 Mbytes Page：20 Pages	N-channel 650 V, 0.230 廓, 12 A MDmesh??V Power MOSFET in TO-220FP, I짼PAK, TO-220, IPAK, TO-247 Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched a 文件：1.10552 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STU16N65M5	文件：316.34 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：316.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STU16N65M5	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 650V 12A IPAK	ST 意法半导体	ST
STW16N65M5	文件：420.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：420.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STW16N65M5	文件：1.10552 Mbytes Page：20 Pages	N-channel 650 V, 0.230 廓, 12 A MDmesh??V Power MOSFET in TO-220FP, I짼PAK, TO-220, IPAK, TO-247 Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched a 文件：1.10552 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STU16N65M5
功能描述：
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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