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STU60N55F3	文件：317.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STU60N55F3	文件：630.35 Kbytes Page：20 Pages	N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET 文件：630.35 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STB60N55F3	文件：345.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STD60N55F3	文件：630.35 Kbytes Page：20 Pages	N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET 文件：630.35 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STU60N55F3
功能描述：
MOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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