首页 >STU60N55F3>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

STU60N55F3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.65 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STU60N55F3

N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET

文件:630.35 Kbytes 页数:20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB60N55F3

N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET

文件:630.35 Kbytes 页数:20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB60N55F3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:345.13 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STD60N55F3

N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET

文件:630.35 Kbytes 页数:20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STU60N55F3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
25+23+
TO-251
27010
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
ST
18+
TO-251
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
STM
25+
TO-251
1675
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
22+
NA
2913
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
ST/意法
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
ST
22+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ST
13+
TO-251
75
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ST/意法
22+
N
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
询价
STMicroelectronics
2022+
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251A
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ST/意法
22+
N
28000
原装现货只有原装.假一罚十
询价
更多STU60N55F3供应商 更新时间2025-10-3 16:50:00