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STU6NF10	文件：333.53 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100 V, 0.22 廓, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET??Power MOSFET Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfortelecoma	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU6NF10	文件：1.86796 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STU6NF10	文件：952.96 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
6NF10	文件：1.03553 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD6NF10	文件：333.53 Kbytes Page：14 Pages	N-channel100V,0.22廓,6A,DPAK,IPAKlowgatechargeSTripFET??PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfortelecoma	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD6NF10	文件：266.33 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL100V-0.22ohm-6AIPAK/DPAKLOWGATECHARGESTripFET??POWERMOSFET Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfortelecoma	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STU6NF10
功能描述：
MOSFET N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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