isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1050V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：351.36 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Ultra low gate charge

文件：724.42 Kbytes 页数：18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道1050 V、1 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低RDS(on) \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

Ultra low gate charge

文件：724.42 Kbytes 页数：18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1050V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：318.42 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1050V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：371.96 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电