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STW10N105K5中文资料N沟道1050 V、1 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装数据手册ST规格书
STW10N105K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低RDS(on)
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
:STW10N105K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-247
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:1050
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:1.3
- Drain Current (Dc)_max(A)
:6
- PTOT_max(W)
:130
- Qg_typ(nC)
:21.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
16900 |
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鑫远鹏 |
25+ |
NA |
5000 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
TO-247-3 |
6000 |
原厂原装 欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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询价 | ||
ST |
2019 |
TO-247 |
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STM |
23+ |
TO-247-3 |
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ST(意法) |
23+ |
TO-247-3 |
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ST/意法 |
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