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STGP3NB60F	文件：732.07 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH??IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “F” identifies a family optimized to achieve very low switching times for frequency a 文件：732.07 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP3NB60FD	文件：732.07 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH??IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “F” identifies a family optimized to achieve very low switching times for frequency a 文件：732.07 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP3NB60F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 68W TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP3NB60FD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 68W TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP3NB60F
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，3A
开关能量：
125µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12.5ns/105ns
测试条件：
480V，3A，10 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 6A 68W TO220

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