STGP3NB60FD_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-意法半导体

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厂家型号：
STGP3NB60FD
制造商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-220-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
通孔
更新时间：
2025-8-5 10:08:00

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原厂料号：STGP3NB60FD品牌：STMicroelectronics

资料说明：IGBT 600V 6A 68W TO220

STGP3NB60FD是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装TO-220-3的STGP3NB60FD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
stgp3nb60fd
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
资料说明：
IGBT 600V 6A 68W TO220

产品属性

类型
描述
产品编号：
STGP3NB60FD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，3A
开关能量：
125µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12.5ns/105ns
测试条件：
480V，3A，10 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 6A 68W TO220

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STGP3NB60FD_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-意法半导体

STGP3NB60FD

产品属性

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